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1N5819T-G	文件：77.12 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifiers Features -Epitaxialconstruction. -Lowforwardvoltagedrop. -Metal-Semiconductorjunctionwithguardring. -Highcurrentcapability. -Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5819TR	文件：79.79 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyRectifier,1.0A DESCRIPTION The1N5819axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,andreversebatteryprotection. FEATURES •Lowprofile,axialleadedoutline	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N5819TR	文件：88.36 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER1.0Amp Description/Features The1N5818/1N5819axialleadedSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforverylowforwardvoltagedrop,withmoderateleakage.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,free-wheelingdiodes,andreversebatteryprotection. •Lowprofile,axialleaded	IRF International Rectifier	IRF
1N5819U	文件：226.91 Kbytes Page：10 Pages	Aerospace45VpowerSchottkyrectifier	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
1N5819UR	文件：34.05 Kbytes Page：2 Pages	1AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •1N5819UR-1AND1N6761UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/586 •1AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
1N5819UR	文件：48.37 Kbytes Page：2 Pages	1AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •1N5819UR-1AND1N6761UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/586 •1AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N5819W	文件：470.76 Kbytes Page：2 Pages	1ASurfaceMountSchottkyBarrierDiode	BYTESONICBytesonic Electronics Co., Ltd. 松浩电子松浩电子股份有限公司	BYTESONIC
1N5819W	文件：1.96288 Mbytes Page：4 Pages	SOD123Plastic-EncapsulateDiodes SchottkyRectifier Features ●VR20-40V ●IFAV1A Applications ●Rectifier	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
1N5819W	文件：135.01 Kbytes Page：4 Pages	Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Features: •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardingforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters, freewheeling,andpol	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
1N5819W	文件：383.39 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

详细参数

型号：
1N5819-T-F
制造商：
Zetex/Diodes Inc
功能描述：
Diode Schottky 40V 1A 2-Pin DO-41 T/R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	1N5819TG	KEFAN/科范微	23+	SOD-723	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	1N5819TG	KEFAN/科范微	24+	NA/	63250	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市博中泰实业有限公司	1N5819TG	KEFAN/科范微	24+	SOD-723	60000		询价
深圳市一线半导体有限公司	1N5819-TP	MCC	24+	DO-41	7500		询价
深圳市博浩通科技有限公司	1N5819-TP	MCC	23+	DO-41	7750	全新原装优势	询价
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上海市鑫鸿达电子	1N5819-TP	Micro Commercial Components	2022+		3731	全新原装货期两周	询价
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更多1N5819-T-F供应商更新时间2025-5-29 11:00:00

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