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1N5811US分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

1N5811US
厂商型号

1N5811US

参数属性

1N5811US 封装/外壳为SQ-MELF;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 150V 6A

功能描述

Superfast Recovery Diodes Surface Mount (US)
DIODE GEN PURP 150V 6A

封装外壳

SQ-MELF

文件大小

110.17 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Semtech Corporation
企业简称

SEMTECH升特

中文名称

升特官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 9:48:00

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1N5811US规格书详情

1N5811US属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由升特制造生产的1N5811US二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

描述 Description

Quick reference data

VR 50 -150 V

IF 1N5807US to 1N5811US = 6A

trr 1N5807US to 1N5811US = 30nS

IR 1N5807US to 1N5811US = 5µA

特性 Features

◆ Very low reverse recovery time

◆ Hermetically sealed non-cavity construction

◆ Soft, non-snap, off recovery characteristics

◆ Very low forward voltage drop

产品属性

更多
  • 产品编号:

    1N5811US

  • 制造商:

    Semtech Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    6A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    60pF @ 5V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SQ-MELF

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 150V 6A

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