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1N5811E3中文资料Diode and Rectifier Devices数据手册Microchip规格书

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厂商型号

1N5811E3

参数属性

1N5811E3 封装/外壳为B,轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:RECTIFIER UFR,FRR

功能描述

Diode and Rectifier Devices
RECTIFIER UFR,FRR

封装外壳

B,轴向

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 美国微芯科技公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 20:49:00

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1N5811E3规格书详情

描述 Description

This “Ultrafast Recovery” rectifier diode series is RoHs compliant for lead free applications.  The industry-recognized 6.0 amp rated rectifiers with working peak reverse voltages from 50 to 150 volts are hermetically sealed with void-less glass construction using an internal “Category 1” metallurgical bond.  These devices are available in both leaded and surface mount MELF package configurations. Microsemi also offers numerous other rectifier products to meet higher and lower current ratings with various recovery time requirements including standard, fast and ultrafast device types in both through-hole and surface mount packages.  ROHS, PB Free-->  ROHS

简介

1N5811E3属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的1N5811E3二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    1N5811E3

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/477

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    60pF @ 10V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    B,轴向

  • 供应商器件封装:

    B,轴向

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    RECTIFIER UFR,FRR

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