1N5802US分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
1N5802US |
| 参数属性 | 1N5802US 封装/外壳为SQ-MELF；包装为散装；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 50V 1.1A |
| 功能描述 | Superfast Recovery Diodes Surface Mount (US) |
| 封装外壳 | SQ-MELF |
| 文件大小 |
110.72 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Semtech Corporation |
| 企业简称 |
SEMTECH【升特】 |
| 中文名称 | 升特官网 |
| 原厂标识 | SEMTECH |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 19:10:00 |
| 人工找货 | 1N5802US价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
1N5802US规格书详情
1N5802US属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由升特制造生产的1N5802US二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
特性 Features
Very low reverse recovery time
Hermetically sealed non-cavity construction
Soft, non-snap, off recovery characteristics
Very low forward voltage drop
VR 50 -150 V
IF 1N5802US to 1N5806US = 2.5A
trr 1N5802US to 1N5806US = 25nS
IR 1N5802US to 1N5806US = 1µA
产品属性
更多- 产品编号：
1N5802US
- 制造商：
Semtech Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
散装
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
1.1A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
25pF @ 5V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SQ-MELF
- 描述：
DIODE GEN PURP 50V 1.1A
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI/美高森美 |
24+ |
CASEG-111 |
990000 |
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询价 | ||
N/A |
23+ |
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MICROSEMI/美高森美 |
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CASEG-111 |
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25+ |
二极管 |
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MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
CASEG-111 |
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MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
SQ-MELFA |
20000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | |||
MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 |
