1N5802US分立半导体产品二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
1N5802US |
参数属性 | 1N5802US 封装/外壳为SQ-MELF;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 50V 1.1A |
功能描述 | Superfast Recovery Diodes Surface Mount (US) |
文件大小 |
110.72 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | Semtech Corporation |
企业简称 |
SEMTECH |
中文名称 | Semtech Corporation官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-23 20:15:00 |
1N5802US规格书详情
Features
Very low reverse recovery time
Hermetically sealed non-cavity construction
Soft, non-snap, off recovery characteristics
Very low forward voltage drop
VR 50 -150 V
IF 1N5802US to 1N5806US = 2.5A
trr 1N5802US to 1N5806US = 25nS
IR 1N5802US to 1N5806US = 1µA
1N5802US属于分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单。Semtech Corporation制造生产的1N5802US二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
产品属性
- 产品编号:
1N5802US
- 制造商:
Semtech Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
散装
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
1.1A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
25pF @ 5V,1MHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SQ-MELF
- 描述:
DIODE GEN PURP 50V 1.1A
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI |
22+23+ |
CASEG-111 |
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MICROSEMI |
RoHSCompliant |
原厂封装 |
150 |
neworiginal |
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