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1N5627分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

1N5627

参数属性

1N5627 封装/外壳为DO-201AD,轴向;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

功能描述

GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER

封装外壳

DO-201AD,轴向

文件大小

52.31 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

GE

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更新时间

2025-11-18 11:06:00

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1N5627规格书详情

FEATURES

♦ Glass passivated cavity-free junction

♦ High temperature metallurgically bonded constructed

♦ Hermetically sealed package

♦ Capable of meeting environmental standards of MIL-S-19500

♦ Typical IR less than 0.1µA

♦ 3.0 Ampere operation at TA=70°C with no thermal runaway

♦ High temperature soldering guaranteed: 350°C/10 seconds, 0.375 (9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension

产品属性

  • 产品编号:

    1N5627GP-E3/73

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    40pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-201AD,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-201AD

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

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