1N5627分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
1N5627 |
| 参数属性 | 1N5627 封装/外壳为DO-201AD，轴向；包装为带盒（TB）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
| 功能描述 | GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON RECTIFIERS |
| 封装外壳 | DO-201AD，轴向 |
| 文件大小 |
86.79 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | EIC discrete Semiconductors |
| 企业简称 |
EIC |
| 中文名称 | EIC discrete Semiconductors官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 17:19:00 |
| 人工找货 | 1N5627价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
1N5627规格书详情
PRV : 200 - 800 Volts
Io : 3.0 Amperes
FEATURES :
* Glass passivated cavity-free junction
* Low forward voltage drop
* High reliability
* Low reverse current
* High forward surge capability
* Pb / RoHS Free
产品属性
- 产品编号：
1N5627GP-E3/73
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
带盒（TB）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
3A
- 速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
40pF @ 4V，1MHz
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
DO-201AD，轴向
- 供应商器件封装：
DO-201AD
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
DO-201AD |
50000 |
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24+ |
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