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1N5619US数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

1N5619US

参数属性

1N5619US 封装/外壳为SQ-MELF,A;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

功能描述

Fast Rectifier (100-500ns)
DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

封装外壳

SQ-MELF,A

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 19:50:00

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1N5619US规格书详情

描述 Description

This “fast recovery” surface mount rectifier diode series is military qualified to MIL-PRF-19500/429 and is ideal for high-reliability applications where a failure cannot be tolerated. These industry-recognized 1.0 Amp rated rectifiers for working peak reverse voltages from 200 to 1000 volts are hermetically sealed with voidless-glass construction using an internal “Category I” metallurgical bond. These devices are also available in axial-leaded package configurations for thru-hole mounting (see separate data sheet for 1N5615 thru 1N5623). Microsemi also offers numerous other rectifier products to meet higher and lower current ratings with various recovery time speed requirements including fast and ultrafast device types in both through-hole and surface mount packages.

简介

1N5619US属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的1N5619US二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    1N5619US

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    25pF @ 12V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SQ-MELF,A

  • 供应商器件封装:

    D-5A

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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