1N5619GP中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
1N5619GP |
| 参数属性 | 1N5619GP 封装/外壳为DO-201AD，轴向；包装为带盒（TB）；类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单；产品描述：DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD |
| 功能描述 | Glass Passivated Junction Fast Switching Rectifier |
| 文件大小 |
76.04 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Vishay Siliconix |
| 企业简称 |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名称 | 威世科技半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-20 17:06:00 |
1N5619GP规格书详情
FEATURES
• Superectifier structure for high reliability condition
• Cavity-free glass-passivated junction
• Fast switching for high efficiency
• Low leakage current
• High forward surge capability
• Meets environmental standard MIL-S-19500
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in fast switching rectification of power supply, inverters, converters and freewheeling diodes for consumer, automotive and telecommunication.
产品属性
- 产品编号：
1N5619GP-E3/73
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
带盒（TB）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
1A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
25pF @ 4V，1MHz
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
DO-201AD，轴向
- 供应商器件封装：
DO-201AD
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI |
2018+ |
SMD |
1680 |
MICROSEMI专营品牌进口原装现货假一赔十 |
询价 | ||
SEMT |
394 |
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MICROSEMI |
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
询价 | |||
VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
DO-201 |
236148 |
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Vishay General Semiconductor - |
24+ |
DO-204AC(DO-15) |
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Vishay |
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SMD |
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MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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MICROCHIP |
23+ |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | |||
Microchip |
21+ |
15000 |
只做原装 |
询价 |
