1N5618中文资料Half Wave Rectifier Diode - 600V Axial Leaded Hermetically Sealed (Standard Recovery)数据手册Semtech规格书

厂商型号 |
1N5618 |
参数属性 | 1N5618 封装/外壳为轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL |
功能描述 | Half Wave Rectifier Diode - 600V Axial Leaded Hermetically Sealed (Standard Recovery) |
封装外壳 | 轴向 |
制造商 | Semtech SEMTECH ELECTRONICS LTD. |
中文名称 | 先之科 先之科半导体科技(东莞)有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-28 22:59:00 |
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1N5618规格书详情
描述 Description
VR = 600VIF = 1.0Atrr = 2μSVF = 1.1V
特性 Features
• Low reverse leakage current
• Hermetically sealed Metoxilite fused metal oxide
• Good thermal shock resistance
• Low forward voltage drop
• Avalanche capability
应用 Application
·Military
·Industrial
·Aerospace
技术参数
- 产品编号:
1N5618
- 制造商:
Semtech Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
散装
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
2A
- 速度:
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
23pF @ 5V,1MHz
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
轴向
- 供应商器件封装:
轴向
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 175°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROCHIP(美国微芯) |
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