1N5552US分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
1N5552US |
| 参数属性 | 1N5552US 封装/外壳为SQ-MELF，B；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 600V 3A D5B |
| 功能描述 | This specification covers the performance requirements for silicon, general purpose, |
| 封装外壳 | SQ-MELF，B |
| 文件大小 |
202.03 Kbytes |
| 页面数量 |
28 页 |
| 生产厂商 | ETC List of Unclassifed Manufacturers |
| 中文名称 | 未分类制造商 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-16 16:20:00 |
| 人工找货 | 1N5552US价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
1N5552US规格书详情
[AMSC]
Scope.
This specification covers the performance requirements for silicon, general purpose, semiconductor diodes. Four levels of product assurance are provided for each encapsulated device type as specified in MIL-PRF-19500. Two levels of product assurance are provided for each unencapsulated device type.
* SEMICONDUCTOR DEVICE, DIODE, SILICON, POWER, RECTIFIER, TYPES 1N5550 THROUGH 1N5554, 1N5550US THROUGH 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC, JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD, AND JANKCE
* The requirements for acquiring the product described herein shall consist of this specification sheet and MIL-PRF-19500.
产品属性
- 产品编号：
1N5552US
- 制造商：
Microchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
3A
- 速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SQ-MELF，B
- 供应商器件封装：
D-5B
- 工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 600V 3A D5B
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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