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1N55中文资料PDF规格书

1N55
厂商型号

1N55

参数属性

1N55 封装/外壳为DO-13;包装为散装;类别为电路保护 > TVS - 二极管;1N55应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13

功能描述

GERMANIUM DIODES

文件大小

1.97664 Mbytes

页面数量

2

生产厂商 American Microsemiconductor
企业简称

AMMSEMI

中文名称

American Microsemiconductor官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-15 20:19:00

产品属性

  • 产品编号:

    1N5555/TR

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    散装

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    30.5V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    33V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    47.5V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    32A

  • 功率 - 峰值脉冲:

    1500W(1.5kW)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 工作温度:

    -65°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-13

  • 供应商器件封装:

    DO-13

  • 描述:

    TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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