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1N5406G数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

1N5406G

参数属性

1N5406G 封装/外壳为DO-201AD,轴向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

功能描述

普通整流二极管 Generral Purpose Diodes 1.0A-16A

封装外壳

DO-201AD,轴向

制造商

Seno Senodia Technologies (Shaoxing)Co.,Ltd

中文名称

深迪半导体 深迪半导体(绍兴)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 20:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    1N5406G

  • 制造商:

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    25pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-201AD,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-201AD

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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