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1N5402T-G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AD，轴向；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5402	文件：129.4 Kbytes Page：2 Pages	Standardsiliconrectifierdiodes	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron
1N5402	文件：48.9 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYRECTIERSSILICONRECTIFIERDIODES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
1N5402	文件：178.37 Kbytes Page：2 Pages	SiliconRectifiers •Nominalcurrent3A •Repetitivepeakreversevoltage50...1000V •Plasticcase~DO-201 •Weightapprox.0.8g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedina	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
1N5402	文件：61.34 Kbytes Page：2 Pages	3.0ARectifier ReverseVoltage:50to1000V ForwardCurrent:3.0A Features -DiffusedJunction -HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop -SurgeOverloadRatingto200APeak -LowReverseLeakageCurrent -PlasticMaterial:ULFlammability ClassificationRating94V-0 MechanicalData -Ca	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N5402	文件：78.09 Kbytes Page：3 Pages	3AmpRectifier50-1000Volts Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LowCurrentLeakageandLowForwardVoltage •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1N5402	文件：49.64 Kbytes Page：2 Pages	3AGENERALDIODES ReverseVoltage50to1200VForwardCurrent3.0A Feature PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoriesaFlammabilityClassification94V-0 Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique Lowreverseleakage Highforwardsurgecapability Diffusedjunction Hightemperature	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
1N5402	文件：159.1 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000Volts ForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES .TheplasticpackagehasUnderwritesLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 .Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique .Highsurgecurrentcapability .3.0AoperationatTL=75withnothermalrun	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
1N5402	文件：62.54 Kbytes Page：2 Pages	3.0ARECTIFIER Features •DiffusedJunction •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto200APeak •LowReverseLeakageCurrent •LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note3)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
1N5402	文件：412.14 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSILICONRECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-3.0Amperes FEATURES Lowcost Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability MECHANICALDATA Case:Moldedplastic Epoxy:UL94V-0rateflameretardant Mountingposition:Any Weight:1.18grams *Lead:MIL-STD-202E,	DCCOM Dc Components	DCCOM

产品属性

产品编号：
1N5402T-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AD，轴向
供应商器件封装：
DO-27（DO-201AD）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 125°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市易讯博科技有限公司	1N5402T-G	Comchip	22+	NA	75	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
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更多1N5402T-G供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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