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1N5402G分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

1N5402G

参数属性

1N5402G 封装/外壳为DO-201AD,轴向;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 3A 200V DO-201AD

功能描述

GLASS PASSI VA TED SILICON RECTIFIER

封装外壳

DO-201AD,轴向

文件大小

1.09008 Mbytes

页面数量

2

生产厂商

SY

中文名称

顺烨电子

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-13 13:01:00

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1N5402G规格书详情

特性 Features

The plastic package carries Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

Construction utilizes void-free

molded plastic technique

Low reverse leakage

High forward surge current capability

High temperature soldering guaranteed:

250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,

5 lbs. (2.3kg) tension

产品属性

  • 产品编号:

    1N5402G

  • 制造商:

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    25pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-201AD,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-201AD

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 3A 200V DO-201AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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