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1N5366B	文件：267.56 Kbytes Page：5 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE VOLTAGE-11TO200VoltsPower-5.0Watts FEATURES Lowprofilepackage Built-instrainrelief Glasspassivatedjunction Lowinductance TypicalIDlessthan1Aabove13V Hightemperaturesoldering:260/10secondsatterminals PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory Flammability	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
1N5366B	文件：306.32 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE(VOLTAGE-11to200VoltsPower-5.0Watts) FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5366B	文件：87.54 Kbytes Page：6 Pages	5WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS 5-WattSurmetic40SiliconZenerDiodes	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
1N5366B	文件：869.5 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONZENERDIODE VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
1N5366B	文件：86.79 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N5366B	文件：189.37 Kbytes Page：5 Pages	5.0WZenerDiodes Features •Glasspassivatedjunction •Completevoltagerange3.3to200V •Highpeakreversepowerdissipation •Highreliability •Lowleakagecurrent •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
1N5366B	文件：277.52 Kbytes Page：5 Pages	ZENERDIODES POWERDISSIPATION:5.0W FEATURES ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Foruseinstabilizingandclippingcurcuitswithhighpowerrating. ◇Standardzenervoltagetoleranceis±10.AddsuffixBfor±5tolerance.otherzenervoltageandtolerancesareavailableuponrequest.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
1N5366B	文件：49.44 Kbytes Page：1 Pages	Zenersilicondiodes	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron
1N5366B	文件：47.74 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODES	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5366B	文件：360.87 Kbytes Page：3 Pages	5W39VTAIWANSUNMATESEMICONDUCTORCO.,LIMITED	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

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产品属性

产品编号：
1N5366B-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
容差：
±5%
工作温度：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AC，DO-15，轴向
供应商器件封装：
DO-15
描述：
DIODE ZENER 39V 5W DO15

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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上海金庆电子技术有限公司	1N5366B-TP	MicroCommercialComponent	新		3985	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	1N5366B-TP	Micro Commercial Components	2022+		3981	全新原装货期两周	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	1N5366B-TP	Micro	1942+	N/A	5249	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
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深圳市博中泰实业有限公司	1N5366B稳压(齐纳)二极管	SUNMATE/森美特	24+	DO-15	60000	全新原装现货	询价
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更多1N5366B-TP供应商更新时间2025-7-26 16:30:00

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