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1N5362B分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

1N5362B
厂商型号

1N5362B

参数属性

1N5362B 封装/外壳为T-18,轴向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 28V 5W AXIAL

功能描述

SILICON ZENER DIODES

封装外壳

T-18,轴向

文件大小

59.09 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 EIC discrete Semiconductors
企业简称

EIC

中文名称

EIC discrete Semiconductors官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-24 23:01:00

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1N5362B规格书详情

VZ : 3.3 - 200 Volts

PD : 5 Watts

FEATURES :

* Complete Voltage Range 3.3 to 200 Volts

* High peak reverse power dissipation

* High reliability

* Low leakage current

* Pb / RoHS Free

产品属性

  • 产品编号:

    1N5362B

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 容差:

    ±5%

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    T-18,轴向

  • 供应商器件封装:

    轴向

  • 描述:

    DIODE ZENER 28V 5W AXIAL

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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