1N5358B_R2_00001_分立半导体产品二极管-齐纳-单-强茂

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厂家型号：
1N5358B_R2_00001
制造商：
PANJIT/强茂
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品二极管-齐纳-单
封装外壳：
DO-201AE，轴向
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-5-16 10:18:00

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原厂料号：1N5358B_R2_00001品牌：Panjit International Inc.

资料说明：SILICON ZENER DIODE

1N5358B_R2_00001是分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单。制造商PANJIT/强茂生产封装DO-201AE，轴向的1N5358B_R2_00001二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

芯片型号：
1n5358b_r2_00001
规格书：
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企业简称：
PANJIT【强茂】详情
厂商全称：
PANJIT International Inc.
中文名称：
強茂股份有限公司
资料说明：
SILICON ZENER DIODE

产品属性

类型
描述
产品编号：
1N5358B_R2_00001
制造商：
Panjit International Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
系列：
1N5338B
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
容差：
±5%
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-201AE，轴向
供应商器件封装：
DO-201AE
描述：
SILICON ZENER DIODE

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1N5358B_R2_00001_分立半导体产品 二极管-齐纳-单-强茂

1N5358B_R2_00001

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