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1N5350B BK	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：T-18，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
1N5350	文件：108.81 Kbytes Page：2 Pages	5.0Wattsurmetic40siliconzcncrdiodes 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5350	文件：281.2 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONPLANARZENERDIODES FEATURES •Lowleakage,lowzenerimpedanceatlowcurrent •Maximumpowerdissipationof5Wisideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10secondsatterminals •Standardzenervoltagetoleranceavailableis±20.Suffix“A” in	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
1N5350A	文件：204.32 Kbytes Page：1 Pages	5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5350A	文件：31.7 Kbytes Page：2 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC	EIC
1N5350A	文件：103.76 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC	EIC
1N5350A	文件：121.99 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	EIC EIC	EIC
1N5350B	文件：361.494 Kbytes Page：3 Pages	AXIALLEADEDSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N5350B	文件：382.97 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
1N5350B	文件：948.25 Kbytes Page：4 Pages	5WZenerDiode5.1to200V Features •ZenerVoltageFrom5.1Vto200V •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation) •Marking:Cathodebandandtypenumber •Halogenfreeavailableuponrequ	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
1N5350B	文件：161.69 Kbytes Page：3 Pages	5WATTZENERDIODES 5WATTZENERDIODES	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N5350B	文件：2.31638 Mbytes Page：5 Pages	ZenerDiodes ■Features ●ZenerVoltageRange3.3Vto200V ●ESDRatingofClass3(>16kV)perHumanBodyModel ●SurgeRatingofupto180W@8.3ms ●5WattSurmetic™40	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N5350B	文件：811.1 Kbytes Page：5 Pages	Siliconplanarpowerzenerdiodes POWERDISSIPATION:5.0W FEATURES ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Foruseinstabilizingandclippingcurcuitswithhigh powerrating. ◇Standardzenervoltagetoleranceis±10.Add suffixBfor±5tolerance.otherzenervoltage andtolerancesareavailableuponrequest.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
1N5350B	文件：1.05186 Mbytes Page：6 Pages	5WZenerDoides Features Zenervoltage:3.3V~200V Highreliability Hightemperaturesolderingguaranteed: 260°C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlength MechanicalData Case:MoldedplasticDO-15 Terminals:Solderplated,solderableperMIL-STD-750,Method2026 Polarity:Colorbanddenot	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
1N5350B	文件：3.30836 Mbytes Page：5 Pages	POWERDISSIPATION POWERDISSIPATION:5.0W FEATURES ◇Siliconplanarpowerzenerdiodes ◇Foruseinstabilizingandclippingcurcuitswithhigh powerrating. ◇Standardzenervoltagetoleranceis±10.Add suffixBfor±5tolerance.otherzenervoltage andtolerancesareavailableuponrequest.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N5350B	文件：168.83 Kbytes Page：1 Pages	DIODE 5-WATTZENERREGULATORDIODES3.3-200VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N5350B	文件：869.5 Kbytes Page：3 Pages	5WSILICONZENERDIODE VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
1N5350B	文件：59.09 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC	EIC
1N5350B	文件：53.03 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES FEATURES •Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboardspace. •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Glasspassivatedjunction •Lowinductance •TypicalIDlessthan1.0µAabove13V •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N5350B	文件：71.54 Kbytes Page：8 Pages	5WattSurmetic40ZenerVoltageRefulators 5WattSurmetic40ZenerVoltageRegulators Thisisacompleteseriesof5WattZenerdiodeswithtightlimitsandbetteroperatingcharacteristicsthatreflectthesuperiorcapabilitiesofsilicon−oxidepassivatedjunctions.Allthisinanaxiallead,transfer−moldedplasticpackagethatoffers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
1N5350B BK
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
包装：
卷带（TR）
容差：
±5%
工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
T-18，轴向
供应商器件封装：
AX-5W
描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市旺财半导体有限公司	1N5350B(5W13V)	EIC	23+	DO-35	4000	正品原装货价格低qq:2987726803	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	1N5350B/TR12	Microsemi	1942+	N/A	908	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市科雨电子有限公司	1N5350B/TR12	MICROSEMI	1809+	T-18	1675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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更多1N5350B BK供应商更新时间2024-6-25 10:30:00

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