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1N5341BE3功能描述:DIODE ZENER 6.2V 5W T-18 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向(Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带(CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585(CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

1N5341BE3/TR12制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 6.2V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 6.2V 5% T-18

1N5341BE3/TR13制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 6.2V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 6.2V 5% T-18

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产品属性

  • 产品编号：

    1N5341BE3

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 类别：

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装：

    卷带（TR）剪切带（CT）

  • 容差：

    ±5%

  • 工作温度：

    -65°C ~ 150°C

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    T-18，轴向

  • 供应商器件封装：

    T-18

  • 描述：

    DIODE ZENER 6.2V 5W T18

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