| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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MicrosemiT-18Axial |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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MICROCHIP(美国微芯)T18 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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MICROCHIP |
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标准国际(香港)有限公司16年
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
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MicrosemiN/A |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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MICROSEMIT-18 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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MICROCHIP(美国微芯)T18 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
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MicrosemiN/A |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
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MicrosemiN/A |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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MICROSEMIT-18 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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1N5341BE3采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
1N5341BE3图片
1N5341BE3/TR13中文资料Alldatasheet PDF
更多1N5341BE3功能描述:DIODE ZENER 6.2V 5W T-18 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向(Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带(CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585(CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
1N5341BE3/TR12制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 6.2V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 6.2V 5% T-18
1N5341BE3/TR13制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 6.2V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 6.2V 5% T-18
1N5341BE3/TR8制造商:Microsemi Corporation 功能描述:5.0W, VZ = 6.2V, ? 5% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 5.0W 6.2V 5% T-18
产品属性
- 产品编号：
1N5341BE3
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
- 容差：
±5%
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
T-18，轴向
- 供应商器件封装：
T-18
- 描述：
DIODE ZENER 6.2V 5W T18
