1N5261B-T分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
1N5261B-T |
参数属性 | 1N5261B-T 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 |
功能描述 | 500mW EPITAXIAL ZENER DIODE |
封装外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
文件大小 |
60.22 Kbytes |
页面数量 |
3 页 |
生产厂商 | DIODES |
中文名称 | 美台半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-7 23:00:00 |
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1N5261B-T规格书详情
1N5261B-T属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由美台半导体制造生产的1N5261B-T二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。
产品属性
更多- 产品编号:
1N5261B-T
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 容差:
±5%
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
DO-204AH,DO-35,轴向
- 供应商器件封装:
DO-35
- 描述:
DIODE ZENER 47V 500MW DO35
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
10250 |
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询价 | ||
DIODESINC |
23+ |
NA |
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DO-41 |
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ST |
23+ |
DO-35 |
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Diodes |
24+ |
DO-35 |
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VISHAY |
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Vishay |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
2022+ |
DO-41 |
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