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1N5258B数据手册分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF

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厂商型号

1N5258B

参数属性

1N5258B 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35

功能描述

齐纳 36V 0.5W 5%
DIODE ZENER 36V 500MW DO35

封装外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:28:00

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1N5258B规格书详情

描述 Description

通用数据适用于此组别的所有系列。 500 毫瓦密封玻璃硅齐纳二极管

特性 Features

• Complete Voltage Range - 1.8 to 200 Volts
• DO-204AH Package - Smaller than Conventional DO-204AA Package
• Double Slug Type Construction
• Metallurgically Bonded ConstructionMechanical Characteristics:
• CASE: Double slug type, hermetically sealed glass
• MAXIMUM LEAD TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES: 230?C, 1/16\", from case for 10 seconds
• FINISH: All external surfaces are corrosion resistant with readily solderable leads
• POLARITY: Cathode indicated by color band. When operated in zener mode, cathode will be positive with respect to anode
• MOUNTING POSITION: Any
• WAFER FAB LOCATION: Phoenix, Arizona
• ASSEMBLY/TEST LOCATION: Seoul, Korea

简介

1N5258B属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由制造生产的1N5258B二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    1N5258B

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 容差:

    ±5%

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AH,DO-35,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-35

  • 描述:

    DIODE ZENER 36V 500MW DO35

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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