1N5258B数据手册分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF

厂商型号 |
1N5258B |
参数属性 | 1N5258B 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 36V 500MW DO35 |
功能描述 | 齐纳 36V 0.5W 5% |
封装外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 18:28:00 |
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1N5258B规格书详情
描述 Description
通用数据适用于此组别的所有系列。 500 毫瓦密封玻璃硅齐纳二极管
特性 Features
• Complete Voltage Range - 1.8 to 200 Volts
• DO-204AH Package - Smaller than Conventional DO-204AA Package
• Double Slug Type Construction
• Metallurgically Bonded ConstructionMechanical Characteristics:
• CASE: Double slug type, hermetically sealed glass
• MAXIMUM LEAD TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES: 230?C, 1/16\", from case for 10 seconds
• FINISH: All external surfaces are corrosion resistant with readily solderable leads
• POLARITY: Cathode indicated by color band. When operated in zener mode, cathode will be positive with respect to anode
• MOUNTING POSITION: Any
• WAFER FAB LOCATION: Phoenix, Arizona
• ASSEMBLY/TEST LOCATION: Seoul, Korea
简介
1N5258B属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由制造生产的1N5258B二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。
技术参数
更多- 产品编号:
1N5258B
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 包装:
卷带(TR)
- 容差:
±5%
- 工作温度:
-65°C ~ 200°C
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
DO-204AH,DO-35,轴向
- 供应商器件封装:
DO-35
- 描述:
DIODE ZENER 36V 500MW DO35
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
03+ |
DO-35 |
2900 |
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NA |
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23+ |
NA |
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DO-35 |
50000 |
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