1N5258B-T分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
1N5258B-T |
| 参数属性 | 1N5258B-T 封装/外壳为DO-204AH，DO-35，轴向；包装为卷带（TR）剪切带（CT）剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单；产品描述：DIODE ZENER 36V 500MW DO35 |
| 功能描述 | 500mW EPITAXIAL ZENER DIODE |
| 封装外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 文件大小 |
60.22 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-19 14:57:00 |
| 人工找货 | 1N5258B-T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
1N5258B-T规格书详情
1N5258B-T属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由美台半导体制造生产的1N5258B-T二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。
产品属性
更多- 产品编号：
1N5258B-T
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）剪切带（CT）
- 容差：
±5%
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
- 供应商器件封装：
DO-35
- 描述：
DIODE ZENER 36V 500MW DO35
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+23+ |
DO-35 |
20676 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
DO-35 |
47186 |
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询价 | ||
Diodes |
24+ |
DO-35 |
7500 |
询价 | |||
YANGJIE/扬杰科技 |
24+ |
DO-35 |
50000 |
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VISHAY/威世 |
03+ |
DO-35 |
2900 |
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VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
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VISHAY |
22+ |
DO-35 |
6000 |
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VISHAY(威世) |
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