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1N5239B数据手册分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF

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厂商型号

1N5239B

参数属性

1N5239B 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35

功能描述

Zener 0.5W, 9.1 V; 5% Tolerance
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35

封装外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 14:32:00

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1N5239B规格书详情

描述 Description

General Data Applicable to all series in this group. 500 MilliwattHermetically SealedGlass Silicon Zener Diodes

特性 Features

• Complete Voltage Range - 1.8 to 200 Volts
• Wide Range of Zener Breakdown Voltages
• 2% and 5% tolerances available
• DO-204AH Package - Smaller than Conventional DO-204AA Package
• Double Slug Type Construction
• Metallurgically Bonded ConstructionMechanical Characteristics:
• CASE: Double slug type, hermetically sealed glass
• MAXIMUM LEAD TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES: 230?C, 1/16\", from case for 10 seconds
• FINISH: All external surfaces are corrosion resistant with readily solderable leads
• POLARITY: Cathode indicated by color band. When operated in zener mode, cathode will be positive with respect to anode
• MOUNTING POSITION: Any
• WAFER FAB LOCATION: Phoenix, Arizona
• ASSEMBLY/TEST LOCATION: Seoul, Korea

应用 Application

• Voltage Regulation
• Waveform Clipping
• MOSFET Gate Protection
• General Usage Device: Suitable for many different end products

简介

1N5239B属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由制造生产的1N5239B二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作,并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途,还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀,但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :1N5239B

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pricing ($/Unit)

    :$0.0124

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • VZ Typ (V)

    :9.1

  • P Max (W)

    :0.5

  • Package Type

    :Axial Lead

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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