1N5229B-G分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
1N5229B-G |
| 参数属性 | 1N5229B-G 封装/外壳为DO-204AH，DO-35，轴向；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单；产品描述：DIODE ZENER 500MW DO35 AXIAL |
| 功能描述 | Axial Leaded Glass Zener Diode |
| 封装外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 文件大小 |
84.86 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | COMCHIP |
| 中文名称 | 典琦 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-23 23:00:00 |
| 人工找货 | 1N5229B-G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
1N5229B-G规格书详情
1N5229B-G属于分立半导体产品的二极管-齐纳-单。由典琦科技股份有限公司制造生产的1N5229B-G二极管 - 齐纳 - 单齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。
Voltage: 2.4 to 75 Volts
Power: 0.5 Watts
RoHS Device
特性 Features
- Planar Die Construction
- 500mW Power Dissipation
- Ideally Suited for Automated Assembly Processes
产品属性
更多- 产品编号：
1N5229B-G
- 制造商：
Comchip Technology
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
- 供应商器件封装：
DO-35
- 描述：
DIODE ZENER 500MW DO35 AXIAL
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
24+ |
DO35 |
7350 |
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询价 | ||
VISHAYTFK |
NA |
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21+ |
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Diodes |
24+ |
DO-35 |
7500 |
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25+ |
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VISHAY |
新 |
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全新原装 货期两周 |
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