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1N5226B-T分立半导体产品的二极管-齐纳-单规格书PDF中文资料

1N5226B-T
厂商型号

1N5226B-T

参数属性

1N5226B-T 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单;产品描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

功能描述

500mW EPITAXIAL ZENER DIODE

封装外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

文件大小

60.22 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 23:01:00

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产品属性

  • 产品编号:

    1N5226B-T

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±5%

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AH,DO-35,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-35

  • 描述:

    DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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