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1N5196	文件：31.92 Kbytes Page：2 Pages	GENERAL PURPOSE SILICON DIODES • AVAILABLE IN JAN, JANTX, AND JANTXV PER MIL-PRF-19500/118 • GENERAL PURPOSE SILICON DIODES • METALLURGICALLY BONDED 文件：31.92 Kbytes 页数：2 Pages	CDI-DIODE	CDI-DIODE
1N5196	文件：46.35 Kbytes Page：1 Pages	GENERAL PURPOSE SILICON DIODES METALLURGICALLY BONDED GENERAL PURPOSE SILICON DIODES METALLURGICALLY BONDED 文件：46.35 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N5196	文件：82.58 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHING DIODE 文件：82.58 Kbytes 页数：1 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N5196	文件：300 bytes Page：1 Pages	High-Reliability Diodes	Microchip 微芯科技	Microchip
1N5196	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AH，DO-35，轴向；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 225V 200MA DO35	MICROCHIP 微芯科技	MICROCHIP
1N5196UR	文件：58.47 Kbytes Page：1 Pages	LL-35 High Voltage / Current Low Leakage Glass Diodes SWITCHING DIODE – METALLURGICALLY BONDED – HERMETICALLY SEALED – DOUBLE PLUG CONSTRUCTION Qualified per MIL-PRF-19500/118 文件：58.47 Kbytes 页数：1 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N5196UR	文件：74.25 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHING DIODE SWITCHING DIODE – METALLURGICALLY BONDED – HERMETICALLY SEALED – DOUBLE PLUG CONSTRUCTION Qualified per MIL-PRF-19500/118 文件：74.25 Kbytes 页数：1 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N5196UR	文件：41.54 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHING DIODE 文件：41.54 Kbytes 页数：1 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N5196UR	文件：33.35 Kbytes Page：2 Pages	GENERAL PURPOSE SILICON DIODES 文件：33.35 Kbytes 页数：2 Pages	CDI-DIODE	CDI-DIODE
1N5196UR_08	文件：41.54 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHING DIODE 文件：41.54 Kbytes 页数：1 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

产品属性

产品编号：
1N5196
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 225V 200MA DO35

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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