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1N5181数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

1N5181

参数属性

1N5181 封装/外壳为S,轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 4KV 100MA AXIAL

功能描述

High Voltage Rectifier
DIODE GEN PURP 4KV 100MA AXIAL

封装外壳

S,轴向

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名称

微芯科技 微芯科技股份有限公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 14:17:00

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1N5181规格书详情

描述 Description

These “standard recovery” high voltage rectifier diode series are military qualified to MIL-PRF-19500/279 for the 1N3644 through 1N3647 part numbers.  They are ideal for high voltage, high-reliability applications where a failure cannot be tolerated.  These 0.10 and 0.25 Amp rated rectifiers with working peak reverse voltages from 1000 to 10,000 volts are hermetically sealed with voidless-glass construction.

简介

1N5181属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的1N5181二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    1N5181

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    100mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    S,轴向

  • 供应商器件封装:

    S,轴向

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 4KV 100MA AXIAL

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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