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1N4933G分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

1N4933G

厂商型号	1N4933G
参数属性	1N4933G 封装/外壳为DO-204AL，DO-41，轴向；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
功能描述	Fast Recovery Rectifier
封装外壳	DO-204AL，DO-41，轴向
文件大小	212.81 Kbytes
页面数量	4 页
生产厂商	Yangzhou yangjie electronic co., ltd
企业简称	YANGJIE【扬州扬杰电子】
中文名称	扬州扬杰电子科技股份有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-5 11:53:00
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1N4933G规格书详情

特性 Features

● High efficiency

● High current capability

● High reliability

● High surge current capability

● Low power loss

● Glass passivated chip junction

● Solder dip 275 °C max. 7 s, per JESD 22-B106

产品属性

产品编号：
1N4933G
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
10pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-204AL（DO-41）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

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