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1N4933G分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

1N4933G
厂商型号

1N4933G

参数属性

1N4933G 封装/外壳为DO-204AL,DO-41,轴向;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

功能描述

Glass Passivated Junction

封装外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

文件大小

197.62 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd
企业简称

LUGUANG鲁光电子

中文名称

深圳市鲁光电子科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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1N4933G规格书详情

VOLTAGE RANGE: 50 --- 600 V

CURRENT: 1.0 A

特性 Features

◇ Low cost

◇ Glass passivated junction

◇ Low leakage

◇ Low forward voltage drop

◇ High current capability

◇ Easily cleaned with Freon,Alcohil,Isopropanop and similar solvents

◇ The plastic material carries U/L recognition 94V-0

产品属性

  • 产品编号:

    1N4933G

  • 制造商:

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    10pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AL,DO-41,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-204AL(DO-41)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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DO41
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