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1N485BTR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AH，DO-35，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
1N485C	文件：266.41 Kbytes Page：6 Pages	silicon diode SILICON DIODE 文件：266.41 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
JAN1N485B	文件：41.56 Kbytes Page：1 Pages	METALLURGICALLY BONDED 文件：41.56 Kbytes 页数：1 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
JANTX1N485B	文件：41.56 Kbytes Page：1 Pages	METALLURGICALLY BONDED, HERMETICALLY SEALED 文件：41.56 Kbytes 页数：1 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

产品属性

产品编号：
1N485BTR
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35
工作温度 - 结：
175°C（最大）
描述：
DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35

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更多1N485BTR供应商更新时间2026-1-17 9:38:00

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