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1N485B中文资料通用低泄露二极管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

1N485B

参数属性

1N485B 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35

功能描述

通用低泄露二极管
DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35

封装外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-9-16 17:11:00

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1N485B规格书详情

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

1N485B属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的1N485B二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :1N485B

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :Single

  • VR Min (V)

    :200

  • VF Max (V)

    :1

  • IR Max (µA)

    :0.025

  • IF Max (A)

    :0.2

  • trr Max (ns)

    :-

  • CD Max (pF)

    :-

  • Package Type

    :Axial Lead

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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