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1N483B中文资料新泽西半导体数据手册PDF规格书

1N483B
厂商型号

1N483B

参数属性

1N483B 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35

功能描述

LOW POWER MINIATURE GLASS PASSIVATED SILICON DIODES

文件大小

109.83 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 17:40:00

1N483B规格书详情

FEATURES:

● High temperature metallurgically bonded

● 0.2 ampere operation at TA = 25°C with no thermal

runaway

● Hermetically sealed package

● Ideally suited for miniaturized equipment

● Glass passivated cavity-free junction

产品属性

  • 产品编号:

    1N483B

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AH,DO-35,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-35

  • 工作温度 - 结:

    175°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
N/L
20
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NJS
2018+
DO-35
18700
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23+
DO35
7350
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24+
DO35
98000
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