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1N4740AG	文件：106.31 Kbytes Page：5 Pages	1.0WZENERDIODE PlanarDieConstruction 1.0WPowerDissipation 3.3V–100VNominalZenerVoltage 5StandardVzTolerance LowInductance ForUseinVoltageRegulatororReference PlasticCaseMaterialhasULFlammability ClassificationRating94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
1N4740AG	文件：218.87 Kbytes Page：2 Pages	HermeticallySealedGlassZenerVoltageRegulators	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
1N4740AG	文件：218.87 Kbytes Page：2 Pages	HermeticallySealedGlassZenerVoltageRegulators	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
1N4740AG	文件：218.87 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGE3.3~56V,1WHermeticallySealedGlassZenerVoltageRegulators	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
1N4740AG	文件：58.08 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGE3.3~56V,1WHermeticallySealedGlassZenerVoltageRegulators FEATURES ●ZenerVoltageRange3.3to56Volts ●Through-HoleDeviceTypeMounting ●HermeticallySealedGlass ●CompressionBondedConstruction ●AllExternalSurfacesAreCorrosionResistant AndLeadsAreReadilySolderable ●SolderHotDipTin(Sn)LeadFinish ●CathodeIndicatedBy	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
1N4740AG	文件：31.84 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES VZ:3.3to100V PD:1.0Watt FEATURES: •Siliconplanarpowerzenerdiodes. •Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating. •Standardzenervoltagetoleranceis±5 •Othertolerancesareavailableuponrequest. •Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1N4740A-G	文件：399.35 Kbytes Page：5 Pages	SILICONZENERDIODE VOLTAGE3.3to100VoltsPOWER1.0Watts FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowinductance •Hightemperaturesoldering:260°C/10secondsatterminals •GlasspackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification •Pbfreeproductareavailable:99Sn	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N4740A-G	文件：304.56 Kbytes Page：5 Pages	SILICONZENERDIODE	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N4740A-G	文件：125.68 Kbytes Page：6 Pages	Glasspassivatedchip. ZenerVoltage:3.3to330Volts DCPower:1Watts RoHSDevice Features -Glasspassivatedchip. -Lowleakage. -Built-instrainrelief. -Lowinductance. -Highpeakreversepowerdissipation. -Foruseinstabilizingandclipping withhighpowerrating. Mechanicaldata -Case:Mol	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N4740A-LFR	文件：127.7 Kbytes Page：2 Pages	1WATTZENERDIODE FEATURES •LOWCOST •SMALLSIZE •ROHS	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER

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