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1N4737A	文件：390.03 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARPOWERZENERDIODES foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating.	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
1N4737A	文件：360.51 Kbytes Page：5 Pages	SILICONZENERDIODE	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N4737A	文件：60.63 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES FEATURES ·VoltageRange:3.3Vto100V ·Doublesiugtypeconstruction	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
1N4737A	文件：149.18 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES 1N47-SERIES RoHSCompliantProduct Asuffixof-Cspecifieshalogen-free STANDARDVOLTAGETOLERANCEIS±10AND:1TYPENO. SUFFIXAFOR±52TOLERANCEOFVZ OTHERTOLERANCESUPONREQUEST.3*e.g.,1N4731A=4.3V±5	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
1N4737A	文件：47.44 Kbytes Page：2 Pages	Zenerdiode	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
1N4737A	文件：946.67 Kbytes Page：3 Pages	1WEPITAXIALZENERDIODE FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowinductance •Hightemperaturesoldering:260°C/10secondsatterminals •GlasspackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
1N4737A	文件：395.65 Kbytes Page：5 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE VOLTAGE3.3to100VoltsPOWER1.0Watts FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowinductance •Hightemperaturesoldering:260°C/10secondsatterminals •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification94V-O •Pbfreeproductareavailabl	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
1N4737A	文件：200.78 Kbytes Page：4 Pages	1WZenerDiodes Features •1WPowerDissipation •Built-inStrainRelief •LowInductance •HighStability •ZenerVoltagefrom3.3Vto100V •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10seconds/.037(9.5mm)leadlength, •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON	TAITRON
1N4737A	文件：182.75 Kbytes Page：4 Pages	ZenerDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
1N4737A	文件：128.49 Kbytes Page：4 Pages	1WattDO-41HermeticallySealedGlassZenerVoltageRegulators SpecificationFeatures: ■ZenerVoltageRange=3.3Vto100V ■ESDRatingofClass3(>6KV)perHumanBodyModel ■DO-41Package(DO-204AL) ■DoubleSlugTypeConstruction ■MetallurgicalBondedConstruction ■OxidePassivatedDie ■RoHSCompliant ■SolderHotDipTin(Sn)LeadFinish	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
1N4737A	文件：302.72 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARPOWERZENERDIODES foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpowerrating.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N4737A	文件：121.21 Kbytes Page：2 Pages	Highstabilityandhighreliability Features •Lowreverseleakage •Lowzenerimpedance •Maximumpowerdissipationof1000mW •Highstabilityandhighreliability •LeadandbodyaccordingwithRoHSstandard	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 如皋市大昌如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
1N4737A	文件：185.52 Kbytes Page：1 Pages	1WATTHERMETICALLYSEALEDGLASSSILICONZENERDIODES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N4737A	文件：394.369 Kbytes Page：3 Pages	1W7.5VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N4737A	文件：397.584 Kbytes Page：3 Pages	AXIALLEADEDSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N4737A	文件：1.43749 Mbytes Page：3 Pages	ZenerDiodes ■Features ●ZenerVoltageRange3.3to56Volts ●Through-HoleDeviceTypeMounting ●HermeticallySealedGlass ●CompressionBondedConstruction ●RoHSCompliant	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N4737A	文件：666.04 Kbytes Page：4 Pages	ZenerDiodes C9V1PH==1N4739(1W9.1VZenerDiode)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
1N4737A	文件：75.83 Kbytes Page：4 Pages	ZenerDiodes FEATURES •SiliconplanarpowerZenerdiodes •Foruseinstabilizingandclippingcircuitswith highpowerrating •StandardZenervoltagetoleranceis±5 •Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Voltagest	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N4737A	文件：39.19 Kbytes Page：5 Pages	Voltageregulatordiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
1N4737A	文件：379.8 Kbytes Page：5 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE VOLTAGE3.3to100VoltsPOWER1.0Watts FEATURES •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowinductance •Hightemperaturesoldering:260°C/10secondsatterminals •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification94V-O •Pbfreeproductareavailabl	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
1N4737G
功能描述：
稳压二极管 1W,7V5,5%,ZENER
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N4737G供应商更新时间2024-4-23 14:51:00

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