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1N4608	文件：81.87 Kbytes Page：1 Pages	DIODE DIODE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N4608	文件：37.41 Kbytes Page：1 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE TENTATIVE COMMUNICATIONANDINDUSTRIALAPPLICATIONS. HIGHVOLTAGE,ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
1N4608	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AH，DO-35，轴向；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 85V 200MA DO35	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
1N4608/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AH，DO-35，轴向；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SIGNAL/COMPUTER DIODE	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

产品属性

产品编号：
1N4608
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 85V 200MA DO35

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