1N4152分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
1N4152 |
| 参数属性 | 1N4152 封装/外壳为DO-204AH，DO-35，轴向；包装为散装；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35 |
| 功能描述 | ULTRA HIGH SPEED SILICON PLANAR EPITAXIAL DIODES |
| 封装外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 文件大小 |
90.28 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-11 19:10:00 |
| 人工找货 | 1N4152价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
1N4152规格书详情
ULTRA HIGH SPEED SILICON PLANAR EPITAXIAL DIODES
• C ... 4pF @ VR = 0, f = 1.0 MHz
• trr ... 2.0 ns @ IF = 10 mA, VR = -6.0 V, RL = 100 Ω
产品属性
- 产品编号：
1N4152
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
散装
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
- 速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
- 不同 Vr、F 时电容：
2pF @ 0V，1MHz
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
- 供应商器件封装：
DO-35
- 工作温度 - 结：
175°C（最大）
- 描述：
DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NS/国半 |
24+ |
NA |
990000 |
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FSC |
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DO-35 |
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24+ |
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FSC |
23+ |
DO-35 |
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DO-35 |
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