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1N4151	文件：38.43 Kbytes Page：1 Pages	HIGHSPEEDSWITCHINGDIODES VOLTAGE：50-100VCURRENT：0.15to0.2A FEATURES •Siliconepitaxialplanardiodes •Lowpowerloss,highefficiency •Lowlekage •Lowforwardvoltagh •Highspeedswitching •Highcurrentcapability •Highreliability MECHANICALDATA •Case:Glasssealedcase •Lead:MIL-STD-202E,Metho	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
1N4151	文件：116.07 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N4151	文件：92.72 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastSwitchingSi-PlanarDiodes	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N4151	文件：90.28 Kbytes Page：1 Pages	ULTRAHIGHSPEEDSILICONPLANAREPITAXIALDIODES ULTRAHIGHSPEEDSILICONPLANAREPITAXIALDIODES •C...4pF@VR=0,f=1.0MHz •trr...2.0ns@IF=10mA,VR=-6.0V,RL=100Ω	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N4151	文件：391.26 Kbytes Page：4 Pages	500mWSiliconSwitchingDiode	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
1N4151	文件：88.06 Kbytes Page：1 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE SiliconExpitxialPlanarDiode forgeneralpurposeandswitching. Thetypes1N4149,1N4447and1N4449arealsoavaible inglasscaseDO-34	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
1N4151	文件：180.37 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFHIGHSPEEDSWITCHINGDIODES VOLTAGERANGE-50to100VoltsCURRENT-0.075to0.2Ampere FEATURES Siliconepitaxialplanardiodes Lowleakage Lowforwardvoltage Highspeedswitching Highcurrentcapability Highreliability *Lowpowerloss,highefficiency	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
1N4151	文件：55.99 Kbytes Page：1 Pages	500mWEPITAXIALPLANARDIODES Features ■PLANARPROCESS ■500mWPOWERDISSIPATION ■INDUSTRYSTANDARDDO-35PACKAGE ■MEETSULSPECIFICATION94V-0	FCI Amphenol ICC	FCI
1N4151	文件：652.024 Kbytes Page：1 Pages	50VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
1N4151	文件：137.44 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N4151	文件：131.59 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRecoveryRectifierDiodes	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N4151	文件：80.89 Kbytes Page：2 Pages	HIGHSPEEDSWITCHINGDIODE FEATURES: •Highswitchingspeed:max.4ns •Reversevoltage:max.50V •Peakreversevoltage:max.75V •Pb/RoHSFree MECHANICALDATA: Case:DO-35GlassCase Weight:approx.0.13g	EIC EIC	EIC
1N4151	文件：227.31 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALHIGHSPEEDDIODE SILICONPLANAREPITAXIALHIGHSPEEDDIODE 500mW DO-35 GlassAxialPackage	CDIL CDIL	CDIL
1N4151	文件：65.7 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG
1N4151	文件：91.33 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHINGRECTIFIER SWITCHINGRECTIFIER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N4151	文件：77.04 Kbytes Page：1 Pages	SILICONSWITCHINGDIODES DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTOR1N4151SeriestypesareHermeticallySealedSiliconDiodesDesignedforfastswitchingapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
1N4151	文件：104.76 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalFastSwitchingDiodes	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N4151	文件：188.33 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes REVERSEVOLTAGE:50VCURRENT:0.15A Features ◇Siliconepitaxialplanardiode ◇Highspeedswitchingdiode ◇500mWpowerdissipation	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
1N4151	文件：309.95 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALSWITCHINGDIODE REVERSEVOLTAGE:50V CURRENT:0.15A FEATURES ◇Siliconepitaxialplanardiode ◇Highspeedswitchingdiode ◇500mWpowerdissipation MECHANICALDATA ◇Case:DO-35,glasscase ◇Polarity:Colorbanddenotescathode ◇Weight:0.004ounces,0.13grams	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
1N4151	文件：331.13 Kbytes Page：2 Pages	1N4151SIGNALDIODE MechanicalData ItemsMaterials PackageDO-35 CaseHermeticallysealedglass Lead/FinishDoublestud/SolderPlating ChipGlassPassivated	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS

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产品属性

产品编号：
1N4151TAP
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
150mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
2pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装：
DO-35（DO-204AH）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35

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更多1N4151TAP供应商更新时间2024-6-6 15:00:00

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