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1N4006	文件：236.84 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SiliconRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
1N4006	文件：127.02 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIER SiliconRectifier1.0A Features •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •HighReliability •HighSurgeCurrentCapability	TAITRON TAITRON	TAITRON
1N4006	文件：65.83 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPSILICONRECTIFIERS VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT1.0Ampere FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	UNIOHMUniohm 台湾厚声	UNIOHM
1N4006	文件：37.82 Kbytes Page：1 Pages	1ARectifierDiodes ■Features ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory ●FlammabilityClassification94V-0 ●Constructionutilizesvoid-free ●moldedplastictechnique ●Lowreverseleakage ●Highforwardsurgecurrentcapability	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N4006	文件：138.87 Kbytes Page：3 Pages	1.0Amp.GlassPassivatedSiliconRectifiers Features •Lowforwardvoltagedropandlowleakagecurrent •Highcurrentcapability •Highsurgecurrentcapability •PlasticmaterialusedcarriesULflammabilityclassification94V-0utilizingflameretardantepoxymoldingcompound. •Hightemperaturesoldering:250°C/10secondsattermin	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
1N4006	文件：1.37029 Mbytes Page：2 Pages	SILICONGENERALPURPOSE1.0AMPDIODES SILICONGENERALPURPOSE1.0AMPDIODES	EDAL Edal Industries, Inc.	EDAL
1N4006	文件：95.27 Kbytes Page：1 Pages	LEADED(THRU-HOLE)GeneralPurposeRectifiers,1to8Amps LEADED(THRU-HOLE) GeneralPurposeRectifiers,1to8Amps	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
1N4006	文件：167.33 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIERVOLTAGERANGE50TO1000VoltsCurrent1Ampere VOLTAGERANGE50TO1000VoltsCurrent1Ampere FEATURES ＊Lowcostconstruction ＊Lowforwardvoltagedrop ＊Lowreverseleakage ＊Highforwardsurgecurrentcapability ＊Hightemperaturesolderingguaranteed260℃/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	SILANSilan 士兰	SILAN
1N4006	文件：47.54 Kbytes Page：2 Pages	AXIALSILASTICGUARDJUNCTIONSTANDARDRECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT1.0Ampere FEATURES ·Lowcoatconstruction ·Lowforwardvoltagedrop ·Lowreverseleakage ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	MIC MIC GROUP RECTIFIERS	MIC
1N4006	文件：238.7 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICSILICONRECTIFIER ReverseVoltage–50to1000V ForwardCurrent–1A Features •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •Highsurgecurrentcapability	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N4006	文件：331.57 Kbytes Page：2 Pages	VOLTAGE50V~1000V1.0AMPSiliconRectifiers FEATURES ●Lowforwardvoltagedrop ●Highcurrentcapability ●Highreliability ●Highsurgecurrentcapability	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
1N4006	文件：183.32 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIERVOLTAGERANGE50TO1000VoltsCurrent1Ampere VOLTAGERANGE50TO1000VoltsCurrent1Ampere FEATURES ＊Lowcostconstruction ＊Lowforwardvoltagedrop ＊Lowreverseleakage ＊Highforwardsurgecurrentcapability ＊Hightemperaturesolderingguaranteed260℃/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
1N4006	文件：264.4 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SiliconRectifiers Features ◇Highefficiency,LowVF ◇Highcurrentcapability ◇Highreliability ◇Highsurgecurrentcapability ◇Lowpowerloss	DAYADaya Electric Group Co., Ltd. Daya Electric Group Co., Ltd.	DAYA
1N4006	文件：47.41 Kbytes Page：2 Pages	PLASTICSILICONRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-1.0Ampere FEATURES ●Lowcost ●Diffusedjunction ●Lowforwardvoltagedrop ●Lowreverseleakagecurrent ●Highcurrentcapability ●TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0	CTC ctconline	CTC
1N4006	文件：106.63 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeRectifiersStandardRecoveryPlasticSiliconRectifiers StandardRecoveryPlasticSiliconRectifiers SpecificationFeatures: ▪Case:Epoxy,Molded ▪Weight:0.4gram(approximately) ▪Finish:AllExternalSurfacesCorrosionResistantAndTerminalLeadsAreReadilySolderable ▪LeadAndMountingSurfaceTemperatureForSolderingPurposed:260℃Max.	TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌电子德昌电子（集团）有限公司	TAK_CHEONG
1N4006	文件：664.44 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ●Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ●Lowreverseleakage ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Hightem	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
1N4006	文件：260.12 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦Hightem	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
1N4006	文件：292.08 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposePlasticRectifiers PRODUCTSUMMARY ReverseVoltage50to1000Volts Forwardcurrent1.0Ampere FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoriesFlammabilityClassification94V-0 Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique Lowreverseleakage Highforwardsurgecapability	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
1N4006	文件：39.87 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSILICONRECTIFIER FEATURE .Highcurrentcapability .Lowforwardvoltagedrop .Lowpowerloss,highefficiency .Highsurgecapability .Hightemperaturesolderingguaranteed260°C/10sec/0.375leadlengthat5lbstension	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
1N4006	文件：102.38 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICRECTIFIERVOLTAGE:50TO1000VCURRENT:1.0A VOLTAGE:50TO1000VCURRENT:1.0A FEATURE Moldedcasefeatureforautoinsertion Highcurrentcapability Lowleakagecurrent Highsurgecapability Hightemperaturesolderingguaranteed 250°C/10sec/0.375”leadlengthat5lbstension	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI

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产品属性

产品编号：
1N4006-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多1N4006-TP供应商更新时间2024-5-16 14:30:00

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