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1N4004-G	文件：97.33 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Rectifier Voltage:50to1000VCurrent:1.0A RoHSDevice Features -Lowcostconstruction. -Fastforwardvoltagedrop. -Lowreverseleakage. -Highforwardsurgecurrentcapability. -Highsolderingtemperatureguarantee:260OC/10 seconds,0.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg) tension	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N4004-G	文件：61.79 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Silicon Rectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N4004-G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AL，DO-41，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 400V 1A DO41	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
1N4004-HF	文件：794.86 Kbytes Page：2 Pages	RectifierDiodes	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
1N4004H-T	文件：440.59 Kbytes Page：3 Pages	1AmpRectifier50-1000Volts Features •LowCurrentLeakage •MetalurgicallyBondedConstruction •HighJunctionTemperature	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
1N4004HW	文件：912.05 Kbytes Page：5 Pages	1AGeneralPurposeRectifierDiode	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
1N4004ID	文件：31.37 Kbytes Page：5 Pages	Rectifiers DESCRIPTION CavityfreecylindricalglasspackagethroughImplotec™(1)technology.Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. FEATURES •Glasspassivated •Highmaximumoperatingtemperature •Lowleakagecurrent •Ex	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
1N4004L	文件：161.25 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SILICONRECTIFIERS	JGDJinan Gude Electronic Device 济南固锝电子济南固锝电子器件有限公司	JGD
1N4004L	文件：59.19 Kbytes Page：2 Pages	1.0ARECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●SurgeOverloadRatingto30APeak ●LowReverseLeakageCurrent ●LeadFreeFinish,RoHSCompliant(Note4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
1N4004L	文件：74.52 Kbytes Page：3 Pages	1.0ARECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
1N4004-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
15pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

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更多1N4004-G供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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