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1N4003中文资料PDF规格书

1N4003
厂商型号

1N4003

参数属性

1N4003 封装/外壳为DO-204AL,DO-41,轴向;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

功能描述

1A GENERAL DIODES

文件大小

48.72 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Leshan Radio Co., Ltd
企业简称

LRC乐山无线电

中文名称

乐山无线电股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-1 20:27:00

1N4003规格书详情

Reverse Voltage 50 to 1200V Forward Current 1.0A

Feature

* Plastic package has Underwriters Laboratories Flammability Classification 94V-0

* Construction utilizes void-free molded plastic technique

* Low reverse leakage

* High forward surge capability

* Diffused junction

* High temperature soldering guaranteed: 260°C/10 seconds

* 0.375 (9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension

产品属性

  • 产品编号:

    1N4003

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    15pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AL,DO-41,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-41

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GOOD-ARK/苏州固锝
24+
DO-41
990000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
DIODES/美台
23+
NA
30000
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TSC/台湾半导体
24+
1A
98000
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TOSHIBA/东芝
23+
NA/
36
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1N全系列专营
2018+
DIPSMD
150850
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21+
DO-41
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SSI
03+
二极管
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EIC
98
160000
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二极管
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N/A
60
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