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1N3600中文资料PDF规格书

1N3600
厂商型号

1N3600

参数属性

1N3600 封装/外壳为DO-204AH,DO-35,轴向;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

功能描述

Silicon switching diode

文件大小

66.51 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 Central Semiconductor Corp
企业简称

Central

中文名称

美国中央半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-21 17:51:00

1N3600规格书详情

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N3600, 1N4150, silicon planar epitaxial diode is characterized by its miniature size, ultra fast switching speed, low capacitance, low leakage, and high conductance. Accordingly, it is ideally suited for applications such as pulse applications, avalanche circuits, core drivers, and for any critical circuit requiring high conductance at power dissipation without sacrificing fast recovery capability. (Both devices have identical electrical and mechanical specifications).

产品属性

  • 产品编号:

    1N3600

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AH,DO-35,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-35

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
N/L
7
询价
MSCI
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
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FAIRCHILD/仙童
00+
DO-35
3675
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90000
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NA
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