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1N3293R	文件：152.25 Kbytes Page：1 Pages	Silicon Rectifiers High Current Rectifier VRRM = 50-1400V, IF(AV) = 100 A ,VF = 1.2V 文件：152.25 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N3293R	文件：81.51 Kbytes Page：1 Pages	High Current Rectifier Silicon Power Rectifier • Soft recovery • Glass Passivated Die • 2000 Amps Surge Rating • Glass to metal construction • VRRM to 1600 V • Excellent reliability 文件：81.51 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N3293R	文件：160.01 Kbytes Page：1 Pages	High Current Rectifier High Current Rectifier VRRM = 50-1400V, IF(AV) = 100 A ,VF = 1.2V 文件：160.01 Kbytes 页数：1 Pages	TEL 东电电子	TEL
1N3293R	文件：87.27 Kbytes Page：3 Pages	HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER 文件：87.27 Kbytes 页数：3 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
1N3293R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-205AA，DO-8，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
1N3293R	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：STANDARD RECTIFIER	Microchip 微芯科技	Microchip

产品属性

产品编号：
1N3293R
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
100A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-205AA，DO-8，接线柱
供应商器件封装：
DO-205AA（DO-8）
工作温度 - 结：
-40°C ~ 200°C
描述：
DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA

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更多1N3293R供应商更新时间2025-10-12 14:14:00

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