丝印：1N25；Package：SOT-363；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features Vds =25VI5=1.1A Rds(on)

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RECTRON

丽正国际

丝印：1N25E；Package：SOT-223；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

丝印：1N25E；Package：SOT-223；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES

SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES ASI point contact mixer diodes are designed for applications from UHF through 26 GHz.

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ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

SILICON POWER RECTIFIER

Silicon Power Rectifier ● Glass Passivated Die ● 800A surge rating ● Glass to metal seal construction ● VRRM to 1200V

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Microsemi

美高森美

Silicon Power Rectifiers

Silicon Power Rectifiers 18 AMP - DO5

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

SI RECTIFIER, 5A I(O)/I(F) 10A

Silicon Power Rectifiers 18 AMP - DO5

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

Silicon Power Rectifiers

Silicon Power Rectifiers 18 AMP - DO5

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

SILICON POWER RECTIFIER

Silicon Power Rectifier ● Glass Passivated Die ● 800A surge rating ● Glass to metal seal construction ● VRRM to 1200V

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Microsemi

美高森美

SILICON POWER RECTIFIER

Silicon Power Rectifier ● Glass Passivated Die ● 800A surge rating ● Glass to metal seal construction ● VRRM to 1200V

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