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1N2131A	文件：552.28 Kbytes Page：2 Pages	Standard Recovery Diode, 60A Features ●Glasspassivateddie ●Lowforwardvoltagedrop ●Highsurgecapability ●Lowleakagecurrent ●NormalandReversepolarity ●MetricandUNFthreadsavailable	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
1N2131A	文件：646.91 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Standard Recovery Diode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N2131A	文件：404.9 Kbytes Page：2 Pages	DEVICE HIGH POWER STANDARD Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
1N2131A	文件：274.18 Kbytes Page：6 Pages	Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A DESCRIPTION/FEATURES •Lowleakagecurrentseries •Goodsurgecurrentcapabilityupto1000A •Canbesuppliedtomeetstringentmilitary,aerospaceandotherhighreliabilityrequirements •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N2131A	文件：377.04 Kbytes Page：5 Pages	35,40,and 60 Amp Power Silicon Rectifier Diodes 35,40,and60AmpPowerSiliconRectifierDiodes	IRF International Rectifier	IRF
1N2131A	文件：672.51 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Standard Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N2131A	文件：297.27 Kbytes Page：8 Pages	Power Silicon Rectifier Diodes, 35 A/40 A/60 A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
1N2131A	文件：770.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Standard Recovery Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N2131A	文件：49.97 Kbytes Page：1 Pages	STUD MOUNTED SIKCON POWER RECTIFIERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
1N2131A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-203AB，DO-5，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：STD RECTIFIER	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

产品属性

产品编号：
1N2131A
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
70A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AB，DO-5，接线柱
供应商器件封装：
DO-5
工作温度 - 结：
-65°C ~ 200°C
描述：
STD RECTIFIER

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更多1N2131A供应商更新时间2025-6-18 13:54:00

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