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1N1202A	文件：129.539 Kbytes Page：2 Pages	MILITARY SILICON POWER RECTIFIER Military Silicon Power Rectifier • Available in JAN, JANTX and JANTXV • MIL-PRF-19500/260 • Glass passivated die • Glass to metal seal construction • 240 Amps surge rating • VRRM to 1000 volts 文件：129.539 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N1202A	文件：140.12 Kbytes Page：5 Pages	Medium Power Silicon Rectifier Diodes, 12 A FEATURES • Voltage ratings from 50 V to 1000 V • High surge capability • Low thermal impedance • High temperature rating • Can be supplied as JAN and JAN-TX devices in accordance with MIL-S-19500/260 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 文件：140.12 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
1N1202A	文件：106.56 Kbytes Page：2 Pages	Military Silicon Power Rectifier Military Silicon Power Rectifier • Available in JAN, JANTX and JANTXV • MIL-PRF-19500/260 • Glass passivated die • Glass to metal seal construction • 240 Amps surge rating • VRRM to 1000 volts 文件：106.56 Kbytes 页数：2 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
1N1202A	文件：154.83 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power Rectifiers Silicon-Power Rectifiers Nominal current – Nennstrom 12 A Repetitive peak reverse voltage 50...1000 V Weight approx. – Gewicht ca. 5.5 g Recommended mounting torque 18 ± 10 lb.in. Index R: Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1199 A/R) 文件：154.83 Kbytes 页数：2 Pages	DIOTEC 德欧泰克	DIOTEC
1N1202A	文件：103.56 Kbytes Page：4 Pages	12 AMP MEDIUM POWER SILICON RECTIFIER DIODES Description/Features ■ Voltage rating from 50 to 1,000 volts ■ High surge capability ■ Low thermal impedance ■ High temperature rating ■ Can be supplied as JAN and JAN-TX devices in accordance with MIL-S-19500/260 文件：103.56 Kbytes 页数：4 Pages	IRF	IRF
1N1202A	文件：741.43 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Standard Recovery Diode Features • High Surge Capability • Types from 50 V to 600 V VRRM • Not ESD Sensitive 文件：741.43 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
1N1202A	文件：419.32 Kbytes Page：2 Pages	DO4 STUD DEVICES STANDARD RECTIFIER Features • High Surge Capability • Types up to 1000 V VRRM 文件：419.32 Kbytes 页数：2 Pages	AMERICASEMI	AMERICASEMI
1N1202A	文件：773.58 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Standard Recovery Diode 文件：773.58 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
1N1202A	文件：124.18 Kbytes Page：1 Pages	Silicon Avalanche Power Rectifiers 文件：124.18 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
1N1202A	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUM PNP TRANSISTORS 文件：2.44311 Mbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

产品属性

产品编号：
1N1202A
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
Military, MIL-PRF-19500/260
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
12A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-203AA（DO-4）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
STANDARD RECTIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	1N1202A	VishayIR	24+	DO-4Stud(DO-203AA	461		询价
深圳市弘为电子有限公司	1N1202A	IR/MSC	24+	DO-4	650	原装现货假一罚十	询价
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中天科工半导体（深圳）有限公司	1N1202A	MICROSEMI	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
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