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1EDN8511B集成电路(IC)栅极驱动器规格书PDF中文资料

1EDN8511B
厂商型号

1EDN8511B

参数属性

1EDN8511B 封装/外壳为SOT-23-6;包装为管件;类别为集成电路(IC) > 栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6

功能描述

advanced single-channel driver
IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6

文件大小

1.16916 Mbytes

页面数量

28

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 20:02:00

1EDN8511B规格书详情

1EDN8511B属于集成电路(IC) > 栅极驱动器。英飞凌科技公司制造生产的1EDN8511B栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

产品属性

  • 产品编号:

    1EDN8511BXUSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 系列:

    EiceDriver™

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥,低压侧

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    8V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1.2V,1.9V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    4A,8A

  • 输入类型:

    反相,非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    6.5ns,4.5ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-23-6

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT23-6-2

  • 描述:

    IC GATE DRV HALF BRD/LOW SOT23-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
21+
PG-SOT23-6-2
13880
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PG-SOT23-6-2
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Infineon/英飞凌
23+
PG-SOT23-6-2
10000
原装正品,支持实单
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