1C754.T中文资料DIODE GEN PURP 50V 1A R-1数据手册SMC规格书
| 厂商型号 |
1C754.T |
| 参数属性 | 1C754.T 封装/外壳为模具；包装为卷带（TR）剪切带（CT）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-齐纳-单；产品描述：DIODE ZENER 6.8V 500MW DIE |
| 功能描述 | DIODE GEN PURP 50V 1A R-1 |
| 封装外壳 | 模具 |
| 制造商 | SMC Sangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd |
| 中文名称 | 桑德斯微电子 桑德斯微电子器件(南京)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-29 14:30:00 |
| 人工找货 | 1C754.T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 产品编号：
1C754.T
- 制造商：
SMC Diode Solutions
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 容差：
±5%
- 工作温度：
-65°C ~ 175°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
模具
- 供应商器件封装：
模具
- 描述：
DIODE ZENER 6.8V 500MW DIE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CELWAVE |
24+ |
N |
1 |
询价 | |||
SAMSUNG/三星 |
24+ |
NA/ |
760 |
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询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT669 |
54658 |
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恩XP |
22+ |
SOT669 |
5000 |
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SAMSUNG |
20+ |
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恩XP |
2022+ |
SOT669 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
24+ |
LQFP |
60000 |
询价 | |||
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24+ |
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20000 |
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SAMSUNG |
23+ |
QFP48 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
SAMSUNG/三星 |
23+ |
QFP48 |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 |
