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丝印:1C725L;Package:SOT669;N-channel 25 V 1.9 mΩ logic level MOSFET in LFPAK using NextPower technology 1.1 General description Logic level enhancement mode N-channel MOSFET in LFPAK package. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits High reliability Power SO8 package, qualified to 175°C Low 文件:463.26 Kbytes 页数:16 Pages  | NEXPERIA 安世  | NEXPERIA  | 
详细参数
- 型号:
1C725L
 - 功能描述:
MOSFET N-Ch 25V 1.9 mOhms
 - RoHS:
否
 - 制造商:
STMicroelectronics
 - 晶体管极性:
N-Channel
 - 汲极/源极击穿电压:
650 V
 - 闸/源击穿电压:
25 V
 - 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
 - RDS(导通):
0.014 Ohms
 - 配置:
Single
 - 安装风格:
Through Hole
 - 封装/箱体:
Max247
 - 封装:
Tube
 
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            更新时间2025-11-4 10:09:00
        
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