丝印：15TM；Package：SOT-23；LPV811/LPV812 Precision 425 nA Nanopower Operational Amplifiers

1 Features 1• Nanopower Supply Current: 425 nA/channel • Offset Voltage: 300 μV (max) • TcVos: 1 μV/°C • Gain-Bandwidth: 8 kHz • Unity-Gain Stable • Low Input Bias Current : 100 fA • Wide Supply Range: 1.6 V to 5.5 V • Rail-to-Rail Output • No Output Reversals • EMI Protection • Tempera

文件：1.02701 Mbytes 页数：31 Pages

TI

德州仪器

丝印：15TM；Package：SOT-23；LPV811/LPV812 Precision 425 nA Nanopower Operational Amplifiers

1 Features 1• Nanopower Supply Current: 425 nA/channel • Offset Voltage: 300 μV (max) • TcVos: 1 μV/°C • Gain-Bandwidth: 8 kHz • Unity-Gain Stable • Low Input Bias Current : 100 fA • Wide Supply Range: 1.6 V to 5.5 V • Rail-to-Rail Output • No Output Reversals • EMI Protection • Tempera

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TI

德州仪器

丝印：15T65PEH；Package：TO-220F；650V Field Stop IGBT

General Description This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field Stop Trench IGBT Technology, which provides high performance, excellent quality and high ruggedness. This device is for motor control. Features ■ High ruggedness for motor control ■ VCE(sat) positive temperature coeffi

文件：649.99 Kbytes 页数：8 Pages

MGCHIP

丝印：15T10；Package：ABS；Bridge Rectifier

文件：631.39 Kbytes 页数：3 Pages

KEXIN

科信电子

丝印：15T1；Package：ABS；Bridge Rectifier

文件：631.39 Kbytes 页数：3 Pages

KEXIN

科信电子

丝印：15T2；Package：ABS；Bridge Rectifier

文件：631.39 Kbytes 页数：3 Pages

KEXIN

科信电子

丝印：15T4；Package：ABS；Bridge Rectifier

文件：631.39 Kbytes 页数：3 Pages

KEXIN

科信电子

丝印：15T6；Package：ABS；Bridge Rectifier

文件：631.39 Kbytes 页数：3 Pages

KEXIN

科信电子

丝印：15T8；Package：ABS；Bridge Rectifier

文件：631.39 Kbytes 页数：3 Pages

KEXIN

科信电子

丝印：15TP1R0；Package：SO-8；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：73.28 Kbytes 页数：6 Pages

A-POWER

富鼎先进电子