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15GN01MA数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

15GN01MA

参数属性

15GN01MA 封装/外壳为3-SMD,鸥翼;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3MCP

功能描述

射频晶体管,NPN 单,8 V,50 mA,fT = 1.5 GHz
RF TRANS NPN 8V 1.5GHZ 3MCP

封装外壳

3-SMD,鸥翼

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-15 23:01:00

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15GN01MA规格书详情

描述 Description

15GN01MA is an RF Transistor, 8V, 50mA, fT=1.5GHz, NPN Single for VHF to UHF Band High-Frequency Switching, High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications.

特性 Features

Small ON-resistance Ron=2Ω (IB=3mA)
Small output capacitance Cob=1.1pF (VCB=10V)

简介

15GN01MA属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由制造生产的15GN01MA晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :15GN01MA

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : RF Transistor

  • Polarity

    :NPN

  • IC Continuous (A)

    :0.05

  • VCEO(sus) Min (V)

    :8

  • hFE Min

    :Condition: VCE=5V

  • hFE Max

    :Condition: VCE=5V

  • PTM Max (W)

    :Condition: When mounted on ceramic substrate (250mm2×0.8mm)'>0.4

  • fT Min (MHz)

    :Condition: VCE=5V

  • Package Type

    :SC-70 / MCP3

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